軟X線励起による半導体中の不純物原子の低温活性化技術の開発

研究課題

研究責任者	部家彰兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2011 – 2012
概要	軟X線照射によるSi基板中のBドーパントの低温活性化を目指し、軟X線照射した試料のシート抵抗とB深さ方向分布の評価を行った。同一温度で熱処理した試料と比較して軟X線照射によりB原子の拡散は抑制されており、Bの拡散を抑制しながらも、Bドーパントの活性化が可能であることが示された。Si2pのエネルギー準位に照射するフォトンエネルギーを一致させると活性化を促進できることが明らかとなった。また、アレニウスプロットから見積もった活性化エネルギーは従来の熱処理に比べ低い値となった。冷却ホルダを用いて低温(35°C)に保ちながら軟X線照射したが、活性化は起こらず、ある程度の熱エネルギーのアシストが必要であることも明らかとなった。