(110)表面を有する圧縮歪みシリコン・ゲルマニウム(SiGe)薄膜の素子応用

研究課題

研究責任者	有元圭介山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 准教授
研究期間 (年度)	2011 – 2012
概要	本研究では、低コストで製造でき、電子・正孔ともに高移動度が期待される『(110)表面を有する圧縮歪みSiGe薄膜デバイス』の実証実験を行った。そのために必要な要素技術である表面ラフネスの低減を実現し、結晶欠陥形成メカニズムの解明に取り組んだ。積層欠陥密度・界面準位密度の低減やGe組成の最適化を図り、電子・正孔の高移動度化を目指し、結晶成長条件の検討を行った。