| 研究責任者 |
宇治原 徹 名古屋大学, 工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 概要 | これまでに我々は、6H-SiCの(0001)面上への溶液成長により、大面積の高品質3C-SiCの成長に成功してきたが、わずかに6H-SiCの混在がみられるという問題があった。多形変化過程を詳細に調べたところ、6H-SiC上への成長では、成長多形は過飽和度に依存し、高過飽和度では3C-SiCの二次元核成長、低過飽和度では6H-SiCのスパイラル成長が優先的に生じることを見出した。本研究ではその知見に基づき、過飽和度制御によって3C-SiCの単相を成長させることに成功し、23年度の当初目標に関しては、完全に達成した。また、24年度計画についても、温度差法による過飽和度制御、および窒素添加による3C-SiCの高温安定性の確保により、成長速度を2μm/hから24μm/hへと10倍向上させることに成功した。
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