材料表面上レアメタルの非高温型乾式処理による選択的回収技術の開発
研究責任者 |
寺門 修 名古屋大学, 工学研究科, 助教
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研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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概要 | 産業のビタミンといわれるレアメタルを廃棄物から回収する技術開発は、循環型社会確立のために重要である。一方これらのレアメタル類は電子基板表面などに微量存在することが多く、従来的な回収手法はコスト高になりがちである。本研究開発においては、レアメタルとしてインジウム(In)に着目し、液晶ディスプレイガラス上のITO透明電極といった表面上に存在する材料からのIn回収について、400°C程度の比較的低温において、塩化アンモニウムを用いた乾式塩化法による簡便な分離回収技術の開発を行った。その結果、反応に伴うInの挙動の解明をした。また、ITOのみならず、摺動性向上を目的とした表面処理合金からIn回収が可能であることを見出した。今後、技術移転の可能性を、既存技術と比較して進める。
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