樹脂封止を必要としない次世代の超高出力GaN系LEDの開発

研究課題

研究責任者	王学論独立行政法人産業技術総合研究所, その他部局等, 主任研究員
研究期間 (年度)	2011 – 2012
概要	本研究の目的は、我々が独自に開発した微細リッジ構造におけるエバネッセント光の結合効果に基づく光取出し技術を利用した超高出力GaN系LEDを実現するための第一歩として、GaN表面上への微細リッジ構造の形成プロセスを開発し、エバネッセント光の結合による取出し効率向上効果を実証することである。研究では、シリコン酸化膜およびフォトレジストをマスクとして用いたICPエッチングプロセスを開発し、エバネッセント光の結合効果の発現が十分可能なGaNリッジ構造の作製に成功した。作製したリッジ構造試料は平坦表面試料に比べて2.7倍も強いフォトルミネセンス発光を示し、エバネッセント光の結合による取出し効率増大効果が実証できた。