導電性高分子膜を透明ショットキー電極として用いた容量DLOS計測による窒化物半導体膜の欠陥準位分析法の開発

研究課題

研究責任者	中野由崇中部大学, 総合工学研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2011 – 2012
概要	超低損失の高周波パワーデバイス材料として期待される窒化物半導体膜(GaN)について、導電性高分子膜を透明ショットキー電極として用いた容量DLOS(Deep-Level Optical Spectroscopy)計測法による欠陥準位分析法の開発を目的とする。前年度は、簡便なスピンコート法でGaN上にポリアニリン(PANI)電極膜を形成し、PANI成膜条件を最適化することで、高い光透過性と整流特性を併せ持つ透明ショットキーダイオードの作製に成功した。本年度は、このダイオードを用いて、単色分光照射法と電子計測条件を詳細に検討し、再現性のあるDLOSスペクトルを取得しGaNの欠陥準位情報の抽出を行った。