シリコン基板を用いた超高効率窒化物半導体「太陽電池要素技術」に関する開発研究

研究課題

研究責任者	松岡隆志東北大学, 金属材料研究所, 教授
研究期間 (年度)	2011 – 2012
概要	本研究の目的は、バンドギャップ・エネルギ1.7eVを有するInGaN薄膜のエピタキシャル成長技術の確立である。本研究期間では、厳密にIn組成を評価する方法を用いて、成長条件、特に、InとGaの原料供給比を一定としてV/III比を変えて、成長圧力650Torr一定の元で、有機金属気相成長法(metalorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)を用いて、InGaNを成長した。その結果、V/III比と組成との関係を実験的に明らかにした。さらに従来用いられているGa極性面と本研究独自の手法であるN極性面を用いてInGaN結晶成長を試み、N極性面において平坦に高In組成InGaN結晶を作製可能であることを明らかにした。