新しい半導体固相界面による新規グリーンデバイスの開発
| 体系的番号 |
JPMJPR12C8 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR12C8 |
研究代表者 |
冨岡 克広 独立行政法人科学技術振興機構, さきがけ研究者
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| 研究期間 (年度) |
2012 – 2015
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| 概要 | シリコンとIII-V族化合物半導体からなる半導体固相界面に生じる新しい物性を利用することで、エネルギーを効率良く“創る・貯める・使う”素子(グリーンデバイス)を開発します。具体的には、エネルギーを創り貯める素子として、高効率ワイヤレス型水素生成セルを作製し、また、省エネルギー素子として、低電力トランジスターを開発することで、とりわけ電子・輸送産業のエネルギー高効率利用に貢献する基盤技術の確立を目指します。
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| 研究領域 | エネルギー高効率利用と相界面 |
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