高効率光電変換デバイスの実現に向けたIII族窒化物のマルチバンドエンジニアリング
| 体系的番号 |
JPMJPR12C4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR12C4 |
研究代表者 |
Sang Liwen 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点(MANA), ICYS-MANA researcher
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| 研究期間 (年度) |
2012 – 2015
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| 概要 | 幅広い波長領域に対応する直接遷移型のIII族窒化物半導体は、優れた高効率な光電エネルギー変換デバイスを構成できます。本研究では、高効率エネルギー利用のための新たなInGaNの多層ナノ界面変調のコンセプトを実証することで、高In組成のInGaNのp型化を実現し、高効率な光電変換デバイスの実現に挑戦します。
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| 研究領域 | エネルギー高効率利用と相界面 |
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