スピンのナノ立体構造制御による革新的電子機能物質の創製
| 体系的番号 |
JPMJPR1299 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1299 |
研究代表者 |
中辻 知 東京大学, 物性研究所, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2012 – 2015
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| 概要 | 強磁性体を用いるこれまでのメモリ材料開発においては、動作原理の制約上、レアアースや貴金属に頼った研究開発が主流となっている。ここでは反強磁性体に着目し、スピンのナノ立体構造を制御することで現れる新しいホール効果のメモリ特性を利用して、クラーク数上位の元素による不揮発性メモリの開発を目指す。特にホール素子として動作する電子機能物質を開拓するのみならず、その制御に必要な新しいホール効果の機構解明を行う。
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| 研究領域 | 新物質科学と元素戦略 |
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