| 概要 | 新構造グラフェンデバイスの試作を行ない、電気的特性を評価した結果、グラフェン/シリコン接合がダイオード特性を示すがことがわかった。しかし、ON電流が従来データと比較して約3桁小さいことがわかった。そこで、プラズマ前処理による低接触抵抗化技術を開発し、ON電流改善の見通しを得た。他に、カーボンナノチューブ(CNT)/シリコン太陽電池を試作した。測定の結果、曲線因子FF=0.33, Voc=64 mV, 変換効率=2.4%を得た。しかし、CNTデバイスはダイオード特性に大きなばらつきがあることがわかった。これは、CNTの直径のばらつきに起因し、グラフェンデバイスとCNTデバイスを比較すると、特性ばらつきの点でグラフェンデバイスの方が優位であることがわかった。
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