| 概要 | 本課題の研究期間内には,課題のデバイスを実現できなかったが,デバイスシミュレーションにより内部動作の妥当性について確認でき,かつ解析シミュレーションにより電力損失を最小にするデバイスの不純物プロファイルを探索できた。また,デバイス実現のための2重拡散プロセス条件シミュレーションについても,試作後の評価によりその妥当性が確認できた。さらに,共同研究企業や外部機関による構造分析結果から,ポリシリコンゲート形成プロセスについては,ゲート側壁のアンダーエッチを抑制し,かつゲート酸化膜直下に確実にチャネル領域を形成することが重要であることが判明した。これらのプロセス技術の確立により実用化が期待できる。
|
|---|
