高導電率・高透過率下地層を用いたヒ素・量子ドットレス薄膜太陽電池の製造技術の開発

研究課題

研究責任者	佐藤祐一秋田大学, 大学院工学資源学研究科電気電子工学専攻, 准教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
合計額	1,690,000円
概要	ヒ素レス・量子ドットレスの窒化物材料による超高効率の太陽電池製造の技術開発に関し、三項目の実験検討を行った。はじめにIn2O3透明下地層の厚さや結晶性の影響について検討を行い、その上に形成するIII族窒化物半導体薄膜の結晶性がX線ロッキングカーブの半値幅で1°以下となることを目指し、その目標を達成することができた。つぎに、当該下地電極層とその上に形成するIII族窒化物半導体薄膜が電気的にオーミック接触となるかどうかの検討を行い、この点については特段の手立てを講じることなく薄膜形成段階でオーミック接触となることが明らかとなり目標を達成することができた。さらに、III族窒化物半導体薄膜によるショットキー構造への光照射により起電力が生じることを確認できた。