| 研究責任者 |
八木 修平 埼玉大学, 理工学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2012 – 2013
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| 概要 | 本研究課題では、高効率な窒化物半導体量子ドット太陽電池の開発を目的に、量子ドット3次元規則超格子に向けたInN量子ドット積層化技術の研究、並びに量子ドット太陽電池の試作を行った。実用化に向けより広く窒化物材料の可能性を探索するため、六方晶InN(h-InN)と、立方晶InN(c-InN)の2種類のInN量子ドットを用いて積層構造を作製し、その特性を明らかにした。特にc-InN量子ドットについては、太陽電池の光吸収層となる3次元規則超格子に適した面内規則配列量子ドットの積層化を実現した。さらにInN量子ドット層を導入したGaN 太陽電池を試作して光電流の生成を確認し、動作実証を行った。
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