水銀プローブ電極を用いた光容量分光計測による窒化物半導体ウエハのインラインプロセスでの高感度欠陥準位分析法の開発

研究課題

研究責任者	中野由崇中部大学, 総合工学研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	超低損失の高周波パワーデバイス材料として期待される窒化物半導体(GaN)ウエハを対象に、電極形成プロセスが不要な水銀プローブ電極と欠陥準位の高感度分析ツールである光容量分光法を組み合わせて、インラインプロセスで使用可能な非侵襲な欠陥準位分析法を新たに開発することを目的とした。単色分光の照射条件や計測条件の最適化により、ウエハの任意の部位におけるキャリア濃度と欠陥準位の状態密度分布および深さ方向依存性を非侵襲で再現性良く測定できることを確認した。また、得られた欠陥準位情報を元に、特定の欠陥準位密度を短時間で測定できる手法を考案した。今後は、この短時間測定法を検証する予定である。