強誘電体臨界点を利用した高性能チューナブルキャパシタの開発

研究課題

研究責任者	岩田真名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	本研究は、電子回路で利用するチューナブルキャパシタ(以下TC と略す)材料の開発に関するものである。現在、分域壁の移動や超格子構造のような不均一構造に由来する性質が TC材料に利用されているが、経時変化や不安定性が問題となっている。申請者は、今までの研究から誘電体の電場誘起相転移が TC材料として利用できることをPb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PZN-PT) で実験的に見いだした。本研究では、PZN-PT材料特性の再評価及び新材料の探索を行った。PZN-PTの場下での誘電特性を明らかにした。臨界点に利用がチューナブル材料探索に有益な指針であることを示し、特許を申請した。