窒化シリコン薄膜を介したシリコン基板上への単結晶窒化ガリウムの局所形成

研究課題

研究責任者	柳澤淳一滋賀県立大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	単結晶窒化ガリウム(GaN)を有機金属気相成長(MOCVD)法で成長させるための基板として、シリコン(111)表面に窒化シリコン(SiNx)を10 nmの薄さで成膜し、Gaイオンを5、2、0.5 keVの順に照射した基板を作製した。MOCVDでGaNを成長させた結果、イオン照射領域に選択的にGaNが成長し、0.5 keV 単独の照射よりも5 keV や2 keV の照射も組み合わせたGaイオン照射部により良くGaNが成長することが確認できた。結晶性の評価は今後の課題として残ったものの、本結果をもとに、窒化物半導体成長用の基板技術として企業と共同で特許申請を行なった。