| 概要 | フレキシブル基板上に、複数のバンドギャップ(1,1、0.7eV)を有するタンデム型光吸収層(大粒径多結晶薄膜積層構造)を構築する為、非晶質基板上におけるSiGeの触媒誘起成長法を検討した。触媒(Au)を用いた層交換成長法を開発し、フレキシブルなプラスティック基板上に結晶方位が制御され、かつ大粒径(≧50μm)を有するSiGe結晶を形成するプロセス(～250°C)を開発した。更に、低温成長に適した触媒を探索し、低温(～150°C)におけるSiGe成長の端緒を取得した。高い変換効率(～30%)とフレキシブルな可搬性を兼ね備えた次世代太陽電池の基盤技術の構築につながる成果である。
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