立方晶SiC溶液成長における双晶界面欠陥の完全抑制

研究課題

研究責任者	宇治原徹名古屋大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	これまでに、溶液法による立方晶SiC結晶成長において転位や積層欠陥の密度を極めて低くすることに成功してきた。本研究では、最後に残された欠陥である双晶界面欠陥の完全抑制技術を確立し、世界最高品質の立方晶SiCバルク結晶を実現することを目的とした。双晶の形成は、二種類の異なる方位をもつバリアントが同時に二次元核形成することよって生じる。我々は、特殊な方向へ優先的に成長させることで、片方のバリアントがもう片方のバリアントを覆うように成長することを見いだし、それを利用することで、双晶欠陥の抑制に成功した。今後は、さらなる高品質化を目指し、積層欠陥の低減を行うと共に、デバイス特性の評価を行う予定である。