分子シミュレーションに基づくナノパターン電子線計測の高精度補正法の構築

研究課題

研究責任者	安田雅昭大阪府立大学, 大学院工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	ナノパターン電子線計測においてレジスト変形による測定精度低下を高精度に補正する手法の確立を目標とし、分子シミュレーションを用いたレジストパターンの変形解析を実施した。まず、電子線照射によるレジスト分子の分解反応と生成物がアウトガスとして消失する効果を導入したモデルを開発し、実験に見られるようなレジストパターンの収縮を再現できることを確認した。レジストパターンのサイズ変化をレジスト分子の分解量の関数として定量化し、ナノスケールパターンの電子線計測における変形補正に有効となる関数を導出することが出来た。実用的サイズの半導体デバイスの計測へ応用するため、今後、10ナノメートルスケールに対応した手法を開発する。