半導体製造チャンバーのH2パルスプラズマによるクリーニング技術の開発
| 研究責任者 |
安井 晋示 名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2012 – 2013
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| 概要 | 太陽電池製造工程におけるチャンバークリーニング用ガスとして、従来のメカニカルな清掃や高価なNF3ガスを用いたクリーニング方法に代わり、H2を用いたプラズマクリーニング技術を開発する。Poly-Si薄膜を用いたパルスプラズマによる予備実験の結果、電極の構造、圧力、アルゴンガスの添加によりクリーニングが影響されることを明らかにし、アルゴンを添加した条件でクリーニングレートとして0.01 μm/minが得られた。各種処理条件に対するクリーニングレートを把握し、そのメカニズムを解析することにより、実用的なクリーニングレート(0.1 μm/min)となる条件を見出す。
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