LSI標準プロセスによる超高速光検出器の低電圧動作化

研究課題

研究責任者	丸山武男金沢大学, 理工研究域電子情報学系, 准教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	次世代ネットワーク用超高速・小型光集積回路の開発が急がれている。これまでに、LSI汎用ラインを用いて波長850nm帯の光検出器を開発し、動作速度3GHz超を達成してきた。しかし、動作電圧は10V程度であり、LSIと集積には電圧が高いという問題があった。そこで低電圧化のため、MOSトランジスタ(電圧制御素子)によるCMOS集積回路から、バイポーラトランジスタ(電流制御素子)とMOSトランジスタが融合できるBiCMOS集積回路への変更を試みた。しかしBiCMOSプロセスにおける光検出器で、高速動作が出来なかったため、CMOS回路+TIAへの変更を試みた。