強誘電性自発分極を利用した多値記録抵抗変化メモリの開発

研究課題

研究責任者	森本章治金沢大学, 理工研究域電子情報学系, 教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	情報の保持に一切の電力を必要としない各種の不揮発性メモリの中でも、メモリセルの抵抗値の増減を利用した抵抗変化メモリ(ReRAM)は、今後の高集積化・高速動作化に有力な存在と考えられる。本申請課題は、非鉛強誘電体BiFeO3 (BFO)薄膜でメモリセル構成し、強誘電性自発分極による反電界を利用した、全く新しいタイプの多値記録ReRAM セルを開発する。掲げた二つの課題に対して、1)ReRAM の多値記録動作に適した強誘電体/電極構造を確立し、ほぼ目標を達成した。また2)多値記録動作に対する独自のモデルを構築し、強誘電性分極による反電界と抵抗ON/OFF比の定量的な相関関係を調べ、モデルの妥当性を確認した。