高効率太陽電池のための可変ワイドギャップアモルファスカーボン半導体の開発

研究課題

研究責任者	本多謙介山口大学, 大学院理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	低コストかつ高効率な太陽光発電システムの実現のため、バンドギャップが可変かつ、低コストの半導体材料の開発が急務となっている。本研究課題では、光学ギャップを任意に制御可能なアモルファスカーボン半導体の実現を目標とした開発を行った。本研究課題開始までに、CVD法で作製するアモルファスカーボンに20%シリコン原子を添加することによりアモルファスカーボン中に含まれるsp2炭素の連なりを縮小させ、光学ギャップ1.7eVのアモルファスカーボン半導体の実現に成功している。本課題では、CVD合成法でカソードカップリング法を採用することにより、シリコン添加量を40%まで増加しsp2炭素の連なり最小限とすることで、光学ギャップ2.7eVのアモルファスカーボン半導体の合成に成功した。