SiCデバイス高温実装のためのNi系ナノ粒子による接続材料・技術研究

研究課題

研究責任者	巽宏平早稲田大学, 情報生産システム研究科, 教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	ナノNiによる接合性について、従来ほとんど検討がなされていないが、ナノAgと比較して、耐食性、高温耐熱性にすぐれていることが期待される。従来明らかになっていた表面がAu以外のAg金属等についてもNiの直接接合が可能であることを明らかにした。またナノ粒子については、粒径、ペースト化条件による接合性評価を行った結果、いずれも100nm以下特に50nm程度のサイズのもので、接合性が良好であることを確認した。SiCデバイスの300°Cでの動作試験を行い、耐熱性を確認した。接合雰囲気については、還元雰囲気で、さらに強固な接合強度がえられているが、実用性を考慮して、大気中での接合の最適化にも注力した。STEMによる界面挙動解析も行った。