粒界相により絶縁化された高抵抗SiC材料の常圧焼結

研究課題

研究責任者	楠瀬尚史香川大学, 工学部, 准教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	省エネ効果の大きなSiCパワーデバイス半導体の製造工程で使用される静電チャックには、高熱伝導性且つ107～1012Ωcmの電気抵抗を有するSiC焼結体が必要である。通常、SiCの電気抵抗は104～105Ωcm程度であるため107Ωcm以上の高抵抗を得るために、約70体積%以上の絶縁性第二相粒子を添加する必要があることが予想される。しかし、従来の大量に第二相粒子を複合化する方法では、SiC本来の高熱伝導性を損い且つ、不純物の混入が問題となってしまう。そこで申請では、実用的な常圧焼結法を用い、わずか7.5vol.%の焼結助剤の添加によって、焼結体中を連続して存在している粒界相に絶縁性物質を析出させて、SiCの電気抵抗を107Ωcmまで上昇させることに成功した。