蓄電機能を有する金属酸化膜のプラズマプロセス技術の開発

研究課題

研究責任者	内野喜一郎九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授
研究期間 (年度)	2012 – 2013
概要	蓄電機能を有すると期待される2元金属酸化膜を、プラズマプロセスにより成膜する方法について開発研究を行った。そのような金属酸化膜には、フォトクロミック(PC)現象が現れることから、この現象を手がかりとして研究を進めた。まず、プラズマCVD法について検討した。超高周波(VHF)を用いたプラズマCVD装置を構築し、金属有機ガスからZnSiO薄膜を作製した。これにより得られたPCの領域は、数十mm2と基板の一部に限られた。プラズマCVDと比較するため、スパッタリング法とPLD(パルスレーザー堆積)法についても検討した。両方ともにPCの発現が確認されたが、スパッタリング法では堆積速度に難点があることがわかった。PLD法によれば、SnMgO薄膜において30mmサイズの基板全面でのPC発現と可視域での30%程度の光透過率を再現性良く得ることに成功した。