| 研究責任者 |
原田 俊太 名古屋大学, 工学研究科, 助教
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2012 – 2013
|
| 概要 | シリコンカーバイト(SiC)は次世代パワーデバイスへの応用が期待されている材料である。電力の変換を担うパワーデバイスの高効率化によってもたらされる省エネ効果は莫大であり、現状のSiをSiCに置き換えることにより、50%以上もの変換ロスを低減できるという試算もある。現在、市販されているSiC単結晶ウエハーは昇華法によって製造されているが、結晶中に転位をはじめとする多くの欠陥を含むため、期待されるパワーデバイス特性を、高い信頼性のもとで発揮できていないのが現状である。本研究課題では、溶液法における転位の変換を応用し、厚膜化により高品質SiC結晶を成長する方法を開発した。
|
|---|
