高機能スピンMOSFET実現に向けた規則構造ハーフメタル薄膜の形成

研究課題

研究責任者	中尾基九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授
研究期間 (年度)	2013
概要	本課題において最大の目標としていた強磁性体Fe3Siの選択的形成を達成することができた。Fe3Siの形成において最も重要なイオン注入プロセスもシミュレーションにより最適なパラメータを算出することができ、スピントロニクスデバイスの作製に不可欠である強磁性体であるということも確認できた。さらに、スピントロニクスデバイス作製のために必要となるトンネル障壁の形成方法も確立することができ、これらの技術を掛け合わせることで我々の最終目的であるスピントロニクスデバイスを作製することができると期待できる。しかしながら、本プロセスはコスト、生産性の面においても大量生産には不向きであり、今後、量産に向けたイオン注入に代わるFeの供給方法を探索し、応用していく必要がある。