フェリックリーチングを利用した安全・安価な化合物半導体エッチング技術の開発

研究課題

研究責任者	野瀬嘉太郎京都大学, 工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2013
概要	本研究では、半導体基板の新しいエッチング技術として、Fe3+/Fe2+の還元反応を利用したフェリックリーチングを用いた技術を提案し、その実証を試みた。基板としては、SiおよびGaAsを用い、Fe3+源としてFeCl3を用いた。FeCl3溶液、臭素水、HCl溶液の比較から、Fe3+が酸化剤として働き、基板がエッチングされることを実証した。FeCl3を水に溶解させるだけでエッチング液を作製することができ、エッチング時にガスを発生せず、また室温で十分エッチング効果が得られるため、簡便で環境にやさしいエッチング技術を開発できた。さらに、Fe3+濃度など種々の条件を変化させて実験を行い、実用化に対して有用な知見を得た。