| 研究責任者 |
宇治原 徹 名古屋大学, 工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2013
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| 概要 | 立方晶SiCは、双晶欠陥や積層欠陥が形成されやすいという問題がある。我々は、これまでに溶液法による高品質立方晶SiCの成長の研究開発を行い、過飽和度による速度論的多形制御技術により双晶欠陥の完全抑制に成功してきた。本研究では、最後に残された欠陥である積層欠陥の低減技術を確立し、世界最高品質の立方晶SiCバルク結晶を実現することを目的とした。3C-SiCの積層欠陥は、種結晶に用いる6H-SiCの貫通転位から発生することがわかった。そこで、成長初期にマクロステップによる転位変換現象を利用して、種結晶から貫通転位を減少させた。その結果、積層欠陥密度を大きく低減させることに成功した。
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