高温動作シリコンパワーIC用静電破壊保護素子の開発

研究課題

研究責任者	松本聡九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授
研究期間 (年度)	2013 – 2014
概要	低炭素社会実現に向けて、化石燃料を燃やすエネルギーから電力エネルギーへの転換が推進されており、電源への期待が高まっている。また電源の小型化による高効率化、適用領域の拡大が期待されている。小型化により、発熱密度が増加するため高温動作が重要となる。高温動作するパワーデバイスとしてSiC系やGaN系が注目されているが、これらのパワーデバイスを駆動・制御するためにSi系のパワーICが必須であり、パワーICではMOSFET構造が多数使用されているため静電破壊保護素子が信頼性の観点から不可欠である。本研究ではSi系パワーICの300°C動作を目的とし300°C動作が可能な静電破壊保護素子の技術を確立する。