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アルミナ基板上BiFeO3系非鉛圧電厚膜の開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 探索タイプ

研究責任者 二口 友昭  富山県工業技術センター, その他部局等, 研究員(移行)
研究期間 (年度) 2013
概要幅広い応答周波数範囲を有する音響振動センサや振動発電素子へ応用するために、優れた圧電性能が期待できるBiFeO3系材料を安価なAg系下部電極とアルミナ基板を使用して作製する研究開発を実施した。Ag/Pd比率や焼成温度を検討することにより、96%アルミナ基板上に1100°C焼成にて緻密で密着性のよい下部電極が得られた。この上に形成されたBiFeO3-BaTiO3系圧電体厚膜の残留分極は31μC/cm2で抗電界は39kV/cmであった。また、キュリー温度Tcは450°Cで、圧電定数d31は63pm/Vであった。通常用いられる高価なジルコニア基板上Pt下部電極を使用したものと比べて圧電定数d31は9割程度確保され、キュリー温度Tcは全く低下せず少し高い値であった。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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