| 研究責任者 |
水上 誠 山形大学, 大学院理工学研究科, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2013
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| 概要 | 本研究はi線照射により親液性が変化する材料をゲート絶縁膜に用い、その上にインクジェット印刷により形成した塗布型電極を有する有機トランジスタを開発することを目的とした。その結果、Agナノインクを塗布することで幅17ミクロン、スペース8ミクロンのAg電極を実現した。本手法でソース・ドレイン電極を形成した有機トランジスタは移動度0.64cm2/Vsと高い性能を示した。本成果はインクジェット印刷による微細配線の新たな手法と有機トランジスタへの適用可能性を実証し、プリンテッドエレクトロニクスにおけるキーテクノロジーとして期待される。今後は産学官の連携を強化し研究を加速していく予定である。
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