| 概要 | ゼロチャープ特性が得られるXカットLiNbO3上の逆プロトン交換光導波路において,目標とするバルク値と同等の電気光学定数を得るために,電界印加逆プロトン交換法を提案したが,プロセス中に電極が変質する等の問題があり,得られた電気光学定数はバルク値の1/2に留まった.YカットLiNbO3を用いれば,逆プロトン交換時間が短時間であっても,より機能性の高い光導波路を作製できた.可視光帯の分岐干渉形光変調器を用いた測定において,DCドリフトの要因となる可動キャリアの存在を裏付けた.今後の作製条件の検討によって,バルク値と同等の電気光学定数をもち,自発分極の揃ったRPE光導波路が得られれば,DC ドリフトが十分に小さい光変調器が得られるものと期待できる.
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