垂直磁化方式のトンネル型スピンフィルター素子の改良に関する研究

研究課題

研究責任者	田中雅章名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
研究期間 (年度)	2013
概要	本研究では室温での垂直磁化方式のトンネル型スピンフィルター効果の実用可能性の探索を目的に、垂直磁気異方性を持つ平坦な強磁性絶縁体コバルトフェライト薄膜のパルスレーザー堆積(PLD)法による作製及び、磁気トンネル接合(MTJ)素子の磁気抵抗(MR)測定によるトンネル型スピンフィルター効果の評価を行った。立体型の遮蔽板を用いて成膜をすることで、PLD法による表面平均粗さ0.1 nm以下の平坦かつ垂直磁気異方性を持つコバルトフェライト薄膜の作製に成功した。また、垂直磁気異方性を持つFe層を参照層とした「Fe/MgO/コバルトフェライト」を基本構造とする膜面垂直型のMTJ素子を作製し、MR測定を行った。MR測定では、室温で1.7%のトンネル磁気抵抗効果が得られ、垂直磁化方式のトンネル型スピンフィルター効果の観測に成功した。