単結晶Si及びSiCを用いた自己冷却デバイスの開発

研究課題

研究責任者	中津川博横浜国立大学, 大学院工学研究院, 准教授
研究期間 (年度)	2013
概要	自己冷却デバイスは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタや絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、中央演算処理装置などのパワー半導体デバイスからの発熱を低減化する為に提案され、これまで研究開発がなされてきた。今回、我々はN型単結晶4H-SiCウェハーを用いた自己冷却デバイスを開発し、市販のパワーMOSFETと組合せて構成された自己冷却デバイスに50Aの電流を印加した時、パワーMOSFET上部の平均温度が3.4°C低減されることを確認した。これは、単結晶4H-SiCが自己冷却デバイスの候補材料の一つとして有力であることを示唆している。