1. 前のページに戻る

バッファ層が不要のCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 探索タイプ

研究責任者 峯元 高志  立命館大学, 理工学部, 准教授
研究期間 (年度) 2013
概要Cu(In,Ga)Se2 太陽電池ではCdSバッファ層とZnO窓層が用いられている。プロセス簡略化からp型のCu(In,Ga)Se2の上に直接、n型の透明導電膜を形成することが望ましい。我々は新規な透明導電膜としてスパッタ成膜のZnO1-xSx:Al(x≦0.15)を提案した。xを変化させたZnO1-xSx:Al透明導電膜を用いてバッファフリーCu(In,Ga)Se2太陽電池を作製した。x=0.10 の時にはCdSバッファを有する太陽電池の変換効率12.4%に対して、バッファフリーの太陽電池の変換効率11.1%を達成した。CdSバッファを有するセルに対して相対値で90%程度の効率が得られた。

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

サービス概要 よくある質問 利用規約

Powered by NII jst