概要 | Siインゴットの切断加工時に大量の廃棄物シリコンが排出される。本研究では,廃シリコンから合成できるブロモシランを用いて,電気化学的手法により3次元マクロ多孔質Si構造体を作製することを目標とした。細孔サイズが異なる数種類の3次元マクロ多孔質Si構造体の作製条件を明らかにした。結果,廃シリコンから抽出したブロモシランを電気化学的手法により,ナノ構造(や光学材料としての応用)を付与する自由度が高いことが分かった。今後,光学分析と細孔サイズの相関性を明らかにし,マクロ多孔質構造の最適化を進める。
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