強磁性体ステージを有する超高密度ヘリコンプラズマエッチング源の開発

研究課題

研究責任者	本村大成独立行政法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員(移行)
研究期間 (年度)	2013
概要	積層型集積回路(3D-IC)を量産するために必要とされるシリコン貫通電極の加工速度を高速化、加工形状を高品質化させることを目標に、高密度プラズマ生成方式であるヘリコンプラズマ生成方式に、被加工材近傍のプラズマ密度を上昇させるウエハステージを併用する新開発の高密度プラズマエッチング装置の構築を行った。ウエハステージ前面 10mm で、入力RFパワー 1 kWを投入しプラズマ密度 1018 m-3 を達成できたことから、数値目標を達成できた。本システムを用いたエッチング速度は 1um/min 以上であった。今後、本高速エッチング方式を用いて微細加工パターンが可能なエッチング条件を評価していくことで、新たなプラズマプロセス装置への応用展開を実施していく。