窒化物半導体の素子応用に向けた高In組成InAlNエピタキシャル成長に関する実用化

研究課題

研究責任者	松岡隆志東北大学, 金属材料研究所, 教授
研究期間 (年度)	2013
概要	高In組成側のInAlN薄膜の有機金属気相成長(MOVPE)を目的とし、そのホスト材料であるInN薄膜の結晶成長条件について減圧・加圧型MOVPE装置を用いて探索した。成長用基板の窒化処理、GaNバッファ層の導入、および、InN薄膜層の成長温度等の成長条件を最適化し、加圧環境下においてサファイア基板上に結晶配向性の良いInN薄膜を成長することができた。また、準安定相である立方晶InNの混在形態や出現条件についても明らかにした。