Naフラックス法による半極性面高品質GaNバルク基板開発

研究課題

研究責任者	今出完大阪大学, 工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2013
概要	従来の+c面GaNバルク液相成長技術と、非極性面結晶成長技術を融合することで、世界でも最大級(およそ2inch径)の非極性面GaNバルク基板の作製に成功した。 Naフラックス法により得られた非極性面GaNバルクの主面X線ロッキングカーブ半値幅はおよそ50秒であり、従来の液相成長により得られたc面GaNバルクと同程度の高い結晶品質を有していることが確認された。本研究成果により、従来技術とは異なる成長面を制御した新しい手法による、低コスト・大口径基板技術の実用化において大きな進展が得られた。