| 研究責任者 |
山口 堅三 香川大学, 工学部, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2013
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| 概要 | 本研究の最終目標は、可変型ギャッププラズモン導波路素子(AGPW)を用いた光電子集積回路の開発である。研究責任者が開発したNEMSアクチュエータ機構による表面プラズモン(SP)共鳴波長の可変化技術をギャップ型プラズモン導波路(GPW)に適用し、伝搬型SPの電気的制御可能なAGPWの基盤技術の確立とした。 そこで、AGPWの(1)光学現象の解明と構造の最適化、(2)作製とその光学特性の評価を実施した。薄膜基板を採用し、中空なAGPWの作製に成功し、複数の共鳴を観測した。また、共鳴波長の電気的可変制御として50 nmのシフト(10 V印加時)を確認した。さらに、本光学特性は、数値計算結果と定性的に一致した。 今後の展開としては、開発したAGPWとLSIとの集積化を実現するためにMEMS加工プロセスの導入を検討する。一方、本技術の新たな可能性を追求として、他のPWG構造での可変化へ挑戦し、次世代コア技術へと結びつける。さらに、公的な研究開発支援制度を活用し、産学共同に向けた研究開発を継続していく。
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