Geの低温結晶化技術の確立によるプラスチックフィルム上での高性能TFTの実現

研究課題

研究責任者	弓野健太郎芝浦工業大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2013
概要	Geの結晶薄膜を効率よく作製する手法の開発を行った。Geの結晶化を促すと考えられているAuとGeを加熱基板上(～240°C)に同時に堆積したところ、成膜後のアニールなしで約95%のGeの結晶化に成功した。成膜温度は従来のMIC法によるものと同程度であるが、Ge薄膜(60nm)を作製するための所要時間は約3分であり、従来の手法(～数十時間)に比べて大幅なプロセス時間の低減に成功した。また、成膜後のAuは膜表面に偏析しており、これを取り除くことができれば、TFTだけでなく、プラスチック基板上でのタンデム型太陽電池用のテンプレート、Ge量子ドットによるディスプレイ用蛍光素子を実現できると期待される。