遷移金属内包シリコンクラスターを用いた低消費電力トランジスタ材料・プロセスの創出

研究課題

体系的番号	JPMJPR1326
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR1326
研究代表者	岡田直也筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 大学院生
研究期間 (年度)	2014 – 2016
概要	遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とする新しい半導体薄膜の化学気相反応成膜法を開発します。これによって、膜の材料構造や組成を原子レベルで制御し、超高キャリア濃度、SiやGeとの理想的な接合特性、バンドエンジニアリングや高移動度といった既存のSi材料科学では成し得ない物性を追究します。この膜を用いてトランジスタの高性能化を実現し、情報機器の低消費電力化、高速化に貢献します。
研究領域	素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

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