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相界面制御法による極低反射率の達成と結晶シリコン太陽電池の超高効率化

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR13C2
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR13C2

研究代表者

小林 光  大阪大学, 産業科学研究所, 教授

研究期間 (年度) 2013 – 2018
概要シリコンウェーハを過酸化水素とフッ化水素酸の溶液に浸し、白金触媒体に接触させるだけで、瞬間的に表面にシリコンナノクリスタル層が形成されます。その結果、反射率がほぼ零となります。これを結晶シリコン太陽電池に利用すると、大きな光電流が得られます。シリコンナノクリスタル層は原子レベルの欠陥をほとんど含んでおらず、表面を不活性にする処理を用いると、高い光起電力も得られます。したがって、低コストの下で結晶シリコン太陽電池を高効率化することができます。
研究領域エネルギー高効率利用のための相界面科学

報告書

(2件)
  • 2018 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2015-09-30   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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