極低消費電力集積回路のためのトンネルMOSFETテクノロジーの構築

研究課題

体系的番号	JPMJCR1332
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJCR1332
研究代表者	高木信一東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
研究期間 (年度)	2013 – 2019
概要	CMOSと比較して大幅に低い電圧で動作して集積回路の消費電力を大きく低減できるバンド間トンネル型FETの開発を行います。バンド間トンネル型FETは、トンネル電流をゲート電圧で制御する新しいデバイスです。本研究では、実用的で高性能のデバイス技術を開発すると共に、トンネルFETの設計技術や回路技術を構築し、0.3 V以下で動作しうる極低消費電力のシステムの実現を目指します。
研究領域	素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

報告書

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