水素終端4族単原子層を用いた室温動作新機能素子の創成

研究課題

体系的番号	JPMJPR132B
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR132B
研究代表者	安武裕輔東京大学, 大学院総合文化研究科, 助教
研究期間 (年度)	2013 – 2016
概要	水素終端IV族単原子層はバルクIV族半導体とは異なる機能(高電子移動度、直接遷移化)の発現が期待されている新規機能性材料です。本研究では水素終端ゲルマニウム単原子層を作製し、(1)電界効果トランジスタの動作実証、(2)発光・受光素子機能と歪によるバンド変調との新規融和素子、(3)光・電子スピン注入・検出能評価に関する研究を行い、革新デバイスを下支えする新規機能性材料と新規能素子の創成を目指します。
研究領域	素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成

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