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セラミックスヘテロ層における界面電磁場制御と熱エネルギー利用

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR13C3
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR13C3

研究代表者

長尾 忠昭  独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, グループリーダー

研究期間 (年度) 2013 – 2018
概要セラミクス、ガラスのヘテロ薄膜の表界面や不純物に起因する低次元電磁場応答現象をベースに、高い赤外フィルタリング特性、熱吸収輻射特性、あるいはエネルギー変換特性をもつ材料・デバイスを開発するための学理・方法論を構築します。元素戦略的な観点からの材料探索を進め、それらをナノファブリケーション技術や電磁場制御技術と組み合わせ、新しい熱エネルギー変換材料・デバイスの創成に挑戦し、低炭素化社会実現に資するナノ材料工学を開拓します。
研究領域エネルギー高効率利用のための相界面科学

報告書

(2件)
  • 2018 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2015-09-30   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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