体系的番号 |
JPMJSN13E2 |
DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJSN13E2 |
研究責任者 |
越川 孝範 大阪電気通信大学, エレクトロニクス基礎研究所, 所長・教授
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研究期間 (年度) |
2013 – 2015
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概要 | 【装置】本プログラム「要素技術タイプ」および「機器開発タイプ」において開発した「高性能スピン偏極電子顕微鏡」を開放(共同利用)する。この装置は、超高輝度(市販品の1万倍以上)、高スピン偏極(同3~4倍)、長寿命(同300倍以上)と圧倒的に高い性能を持つ「スピン偏極電子顕微鏡」である。 【内容】「スピン偏極電子顕微鏡」を広く国内外に共同利用装置として公開するとともに、ユーザーの声を反映させ、さらなる性能とユーザビリティの向上を図る。スピントロニクスで必要とされる高性能磁性薄膜材料開発などに大きな貢献をすることが期待される。
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